Компания Samsung скоро представит новую высокоскоростную память MLC NAND

Корейский производитель Samsung активно работает над завершением работ с флеш-памятью NAND, поддерживающей интерфейс Toggle DDR2. В основу ее положены 20-нанометрове микрочипы. Их производство базируется на MLC (многоуровневых ячейках) с объемами памяти 8 Гб. Пропускная способность, обеспечиваемая этим типом памяти, будет достигать 400 Мбит/сек, а это на порядок больше, чем у SDR NAND (всего 40 Мбит/сек).
Планируется, что микросхемы нового типа будут в ближайшее время устанавливаться на мобильных устройствах – смартфонах и планшетах.
Ближайший конкурент в этом вопросе – компания Toshiba – стоит на пороге запуска памяти с использованием 19-нанометровой технологии. Первые поставки уже сделаны, они нашли применение в коммуникаторах, планшетах и других современных гаджетах.